基于幅频响应特性的半球谐振子频率裂解与固有刚度轴方位角测定方法

半球谐振子频率裂解与固有刚度轴方位角是影响陀螺性能指标的核心因素。提出了一种基于幅频响应特性的半球谐振子频率裂解与固有刚度轴方位角测定方法，采用压电激振台扫频激振，多普勒激光测振仪检测谐振子的幅频响应特性，通过幅频响应特性曲线分析实现频率裂解与固有刚度轴方位角的测定。对该方法进行了理论分析，搭建了实验装置，并对半球谐振子进行了测试，结果表明：该方法频率裂解测量精度优于0.01Hz，固有频率主轴方位角确定精度优于±1.17°，具有良好的可行性，在半球谐振陀螺研制方面具有良好的参考意义。     

激光陀螺稳频反射镜的选择

讨论了球面及平面两种稳频反射镜的加工误差对陀螺腔内光路的偏移作用， 分析了腔内光路随这两种反射镜在稳频平移过程中的变化规律以及光路不对称变形对陀螺朗缪尔零漂的影响。分析结果表明： 无论从稳频反射镜存在加工误差考虑， 还是从稳频平移对陀螺性能影响的考虑， 选择球面镜作稳频反射镜要优于平面镜。     

谐振腔光纤陀螺频率调制原理及仿真

简述对谐振腔光纤陀螺入射光进行频率调制的基本方法，采用洛仑兹公式来描述光纤陀螺的传递函数，结合输入信号特征，建立其频域的数学模型，最后给出结果和相关仿真图形，以及关键参数的优化值和优化方向，再对全光路的结构提出具体的配置建议，仿真结果表明，谐振腔光纤陀螺具有良好的线性工作区间，精度也能够得到进一步的提高。     

补偿式光纤双法布里—珀罗微位移测量系统

提出了一种能补偿环境影响的、插入光纤传光介质的新型微位移测量系统，介绍了其灵敏度的测量结果。由于采用并行双通道的结构，系统具有高准确度、抗干扰等特点。该系统适合于微位移（纳米级）测量，可用于检定其它高准确度位移传感器、几何量定位、微细加工表面轮廓测量以及转换成微位移量或光程差的其他物理量的测量。     

用准光腔自动测试大面积介质复介电常数的平面分布

介绍了用准光腔法自动测量某大面积介质片上不同位置的复介电常数,并且做了误差分析.实验表明,此系统可在3 mm波段下对大面积材料的复介电常数分布进行测量,具有大面积、快速、不接触测量且分辨瑕疵的特点.误差范围为|△ε'/ε'|≤10%;|△tanδ |≤20%tanδ+1×10-4.     

微波等离子推力器真空实验研究

微波等离子推力器(MPT)具有寿命长、效率高和比冲高的特点，具有广泛的应用前景。通过对MPT真空实验系统，以及中(-lkW)、低(-l00W)功率MPT结构的介绍，重点论述了MPT在真空环境下的启动和稳定工作特性，并对实验结果进行了分析和讨论，给出了MPT初步性能参数。实验结果表明，在30W-lkW功率范围内，MPT真空环境下启动可靠，工作稳定；氦气(He)的比冲远高于氩气(Ar)的比冲。     

微结构谐振传感器

阐述了频率输出的新型谐振传感器的发展方向之一——微型化。评价性地论述了热激励硅谐振压力传感器和热激励谐振膜质量流量传感器。重点讨论了热激励的原理,特点等。指出我国应对传感器的这一发展趋势给予足够的重视。     

硅半球深腔结构无损检测技术

半球深腔的加工质量是决定硅基MEMS半球陀螺精度的关键因素之一，及时检测半球深腔的形貌参数并将其反馈至加工过程，是确保高性能MEMS半球陀螺研制成功的重要措施。由于硅半球深腔的深度较大，台阶仪和光学显微成像系统无法对半球深腔的形貌特征进行有效测量。因此,需要将硅深腔结构剖开后采用扫描电镜(SEM)进行检测。这种检测方式时间周期长，且属于破坏性的样本检测，效率和测试精度都较低。提出以硅半球深腔为模具，利用PDMS铸模将硅半球深腔的结构尺寸和表面形貌转移到PDMS凸起的半球模型上，通过检测PDMS半球模型的尺寸结构和表面形貌，即可反推出硅半球深腔的尺寸特征。经实验验证，脱模后的PDMS模型可以准确地反映出半球深腔的尺寸信息，测量结果的不确定度小于5‰，有效解决了硅半球深腔无损检测的难题。     

高声强下多狭缝共振腔的吸声性能

为深入理解高入射声强下多狭缝共振腔吸声机理,采用低频散低耗散的计算气动声学方法对二维多狭缝共振腔开展直接数值模拟研究.首先对标准单狭缝共振腔计算结果进行验证,随后相同的数值模拟方法被应用于相同穿孔率的多狭缝共振腔的数值模拟中.结果显示:高声强下涡脱落对吸声系数的贡献占据了主导地位,各入射频率下均超过68%.多狭缝低频时会导致脱落涡总能量的下降,而高频时升高;而黏性耗散作用随着共振腔狭缝数目的增加而增强.因此综合作用下低频时多狭缝共振腔对吸声效果影响不大,但在高频时多狭缝共振腔有更好的吸声效果.      

XB14型精密石英谐振器的研制

XB14型精密石英谐振器是为现代通信、导航和航天飞行器工程系统及地面高稳晶振研制的一种小型晶体频率控制元件。该谐振器采用了硬玻璃扁平壳和高频感应真空封接技术,具有体积小、密封性好、无封接污染,高可靠和低老等特点,它的频率范围在5～250MHz,老化率在10~(-8)～10~(-9)/d量级。